將成膜添加劑 LiBOB、VC 加到 1 mol/ L LiTFSI/ EMITFSI 中, 并與不含添加劑的 1 mol/ L LiTFSI/ EMI-TFSI 體系進行比較, 結果見圖 7 。 

從圖 7a 可知, 在 1 mol/ L LiTFSI/EMI-TFSI 和 1 mol/ L LiTFSI/ EMI-TFSI+5 %LiBOB 中, 首次放電平臺都比較長,但沒有充電平臺, 原因是與 Li+共嵌, 電解液發(fā)生了還原分解。 在 1 mol/ L LiTFSI/ EMI-TFSI+5 %VC 中, 首次充放電性能較好, 充放電平臺電位幾乎一致, 均約為 0.1 V, 但首次庫侖效率僅有 71.0 %。 從圖 7b 可知, 石墨在1 mol/ L LiTFSI/ EMI-TFSI+5%VC 的循環(huán)性能較好, 比容量能穩(wěn)定在約300 mAh/ g, 說明加入 VC 降低了 EMI-TFSI 的還原電位, 即成膜效果較好。